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通信廣電

談峰值電流控制模式下的次諧波振蕩

相信各位工程師朋友們都遇到過電源不穩(wěn)定的現(xiàn)象，這種現(xiàn)象有可能是原理圖或者PCB設(shè)計不當(dāng)導(dǎo)致的，也有可能是環(huán)路補償不夠的因素；而由于次諧波振蕩導(dǎo)致的電源不穩(wěn)定現(xiàn)象，大家了解多少？

2022-01-25

峰值電流次諧波振蕩

選擇正確的設(shè)備監(jiān)測電池溫度

在當(dāng)今信息時代，幾乎所有的便攜式電子產(chǎn)品都采用電池供電。電池還可以充當(dāng)大型場所的備用應(yīng)急電源。此外，純電動汽車也在使用大型串、并聯(lián)電池包，來提供充足的功率，滿足性能要求。

2022-01-24

設(shè)備監(jiān)測電池溫度

選擇正確的設(shè)備監(jiān)測電池溫度

2022-01-24

設(shè)備監(jiān)測電池溫度

采用模塊化方法處理高電流電池測試設(shè)備

近年來，鋰離子（Li-ion）電池的需求迅速增長，且似乎短期內(nèi)不會放緩。電動汽車和電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施等迅猛發(fā)展的行業(yè)，正引領(lǐng)著鋰離子電池的使用。

2022-01-21

高電流電池測試設(shè)備

如何加快設(shè)計和調(diào)試速度？具有突破性、可擴(kuò)展、直觀易用的上電時序系統(tǒng)是關(guān)鍵！

各行各業(yè)的電子系統(tǒng)都變得越來越復(fù)雜，這已經(jīng)不是什么秘密。至于這種復(fù)雜性如何滲透到電源設(shè)計中，卻不是那么明顯。例如，功能復(fù)雜性一般通過使用ASIC、FPGA和微處理器來解決，在更小的外形尺寸中融入更豐富的應(yīng)用特性。

2022-01-20

上電時序系統(tǒng)

2022亞太區(qū)企業(yè)存儲關(guān)鍵趨勢展望

鑒于全球各國正奮力應(yīng)對新冠疫情，2022年將有望成為復(fù)蘇的一年。在新的一年里，商務(wù)差旅將逐步回溫，各種規(guī)模的面對面會議將重回議程，公司也將采取辦公室和居家相結(jié)合的混合辦公模式。那么，在企業(yè)存儲領(lǐng)域，我們預(yù)期又會迎來哪些趨勢呢？在本文中，我將分享基于與客戶探討所得出的廣泛預(yù)期，將這...

2022-01-19

亞太區(qū) 存儲趨勢

低邊開關(guān)導(dǎo)通時的Gate-Source間電壓的動作

上一篇文章中，簡單介紹了SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)中柵極驅(qū)動電路的開關(guān)工作帶來的VDS和ID的變化所產(chǎn)生的電流和電壓情況。本文將詳細(xì)介紹SiC MOSFET在LS導(dǎo)通時的動作情況。

2022-01-19

低邊開關(guān)導(dǎo) Gate-Source

橋式電路的開關(guān)產(chǎn)生的電流和電壓

本文將介紹在SiC MOSFET這一系列開關(guān)動作中，SiC MOSFET的VDS和ID的變化會產(chǎn)生什么樣的電流和電壓。

2022-01-19

橋式電路開關(guān)

SiC MOSFET的柵極驅(qū)動電路和Turn-on/Turn-off動作

LS（低邊）側(cè)SiC MOSFET Turn-on和Turn-off時的VDS和ID的變化方式不同。在探討SiC MOSFET的這種變化對Gate-Source電壓（VGS）帶來的影響時,需要在包括SiC MOSFET的柵極驅(qū)動電路的寄生分量在內(nèi)的等效電路基礎(chǔ)上進(jìn)行考量。

2022-01-17

SiC MOSFET 柵極驅(qū)動電路

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