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智能家居

為多路電源提供反偏保護(hù)的過壓保護(hù)器

系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員需要采用優(yōu)異的功能電路，更需要為大功率電子產(chǎn)品提供有效保護(hù)。本文介紹一種帶有反偏保護(hù)的過壓保護(hù)器，采用反向偏置電路保護(hù)多電源供電便攜設(shè)備，其內(nèi)部背靠背FET和低RON優(yōu)勢便于通過USB和/或無線充電塢站為便攜設(shè)備充電，無需擔(dān)心損壞設(shè)備。

2012-05-17

Maxim 過壓保護(hù) MAX14606 MAX14607

好利來電子保險(xiǎn)絲應(yīng)用指南

為便于用戶針對所需保護(hù)的元件、電路或設(shè)備選用合適的保險(xiǎn)絲管，特制定本指南。

2012-05-17

好利來電子保險(xiǎn)絲

好利來電子保險(xiǎn)絲應(yīng)用指南

為便于用戶針對所需保護(hù)的元件、電路或設(shè)備選用合適的保險(xiǎn)絲管，特制定本指南。

2012-05-17

好利來電子保險(xiǎn)絲

STM32F0：ST推出基于Cortex-M0內(nèi)核的超低成本及功耗32位MCU

橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商、世界領(lǐng)先的微控制器供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST）擴(kuò)大已取得巨大成功的經(jīng)過市場檢驗(yàn)的包含300多款產(chǎn)品的 STM32微控制器產(chǎn)品陣容，推出全新的STM32F0系列32位微控制器。新產(chǎn)品基于超低功耗的 ARM Cortex-M0處理器內(nèi)核，整合增強(qiáng)的...

2012-05-16

STM32F0 STM32 32位微控制器 Cortex-M0 意法半導(dǎo)體

羅姆的智能手機(jī)新創(chuàng)意：應(yīng)用“軟骨傳導(dǎo)”通話<br/>——通過手機(jī)一角的振動，在噪音環(huán)境中舒暢通話

羅姆的智能手機(jī)新創(chuàng)意：應(yīng)用“軟骨傳導(dǎo)”通話
——通過手機(jī)一角的振動，在噪音環(huán)境中舒暢通話

想要在競爭激烈的智能手機(jī)市場快速崛起，有一個(gè)秘訣是率先采用業(yè)界的創(chuàng)新技術(shù)，近日羅姆研發(fā)出應(yīng)用了“軟骨傳導(dǎo)”技術(shù)的智能手機(jī)，通過手機(jī)一角的振動，在噪音環(huán)境下實(shí)現(xiàn)舒暢通話。不想錯(cuò)過智能機(jī)新創(chuàng)意帶來的好機(jī)會？下文將為你打開“軟骨傳導(dǎo)”技術(shù)的奧秘之門。

2012-05-16

軟骨傳導(dǎo) 智能手機(jī) 軟骨傳導(dǎo)技術(shù)

NXP高效能低VF肖特基整流器鎖定行動裝置

恩智浦(NXP)推出采用1.0毫米(mm)×0.6毫米×0.37毫米超小扁平SMD塑膠封裝DFN1006D-2(SOD882D)的肖特基整流器。該款20伏特(V)、0.5安培(A)PMEG2005BELD蕭特基勢壘整流器，是目前市場上尺寸最小的產(chǎn)品，在0.5安培正向電流下的最大正向電壓為390毫伏特(mV)，可顯著提升電池壽命和性能。

2012-05-16

NXP 肖特基整流器

平板多樣化 iPad尺寸只會更小

2012年的夏季注定是有史以來平板電腦最大規(guī)模集中上市的季節(jié)。據(jù)信，未來4個(gè)月包括蘋果在內(nèi)的所有平板電腦廠商都將公布或發(fā)布自己的新款平板電腦。蘋果可能會推出更小尺寸的iPad，而亞馬遜則可能會推出更大尺寸的產(chǎn)品。谷歌將在6月底發(fā)布一款廉價(jià)平板電腦。

2012-05-16

平板 iPad

智能終端和觸控技術(shù)的頂尖盛會于5月25-26日深圳舉辦

功能性手機(jī)正在逐步被智能觸摸屏手機(jī)取代；在全球應(yīng)用和體驗(yàn)式消費(fèi)驅(qū)動下，智能手機(jī)和平板電腦出現(xiàn)快速增長，預(yù)計(jì)2012年全球智能手機(jī)將近4億部，中國市場超過1.5億部。產(chǎn)品轉(zhuǎn)型引爆了觸摸屏市場。

2012-05-15

智能終端觸控技術(shù)

飛兆最新MOSFET采用微間距WL-CSP封裝占版面積僅0.64mm2

飛兆半導(dǎo)體開發(fā)了FDZ661PZ和FDZ663P P溝道、1.5V規(guī)格的PowerTrench薄型WL-CSP MOSFET器件。這些器件采用最新的“微間距”薄型WL-CSP封裝工藝，最大限度地減小線路板空間和RDS(ON)，并在微小外形尺寸封裝中實(shí)現(xiàn)出色的散熱特性，可幫助便攜設(shè)備開發(fā)人員應(yīng)對空間和散熱的挑戰(zhàn)。

2012-05-15

WL-CSP PowerTrench MOSFET FDZ661PZ FDZ663P

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——通過手機(jī)一角的振動，在噪音環(huán)境中舒暢通話

飛兆最新MOSFET采用微間距WL-CSP封裝占版面積僅0.64mm2