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智能家居

超薄插拔式Micro SIM卡連接器，高度僅為1.24毫米

TE近日發(fā)布了一款超薄插拔式Micro SIM卡連接器。這款先進(jìn)的硬件解決方案可以在提高效率的同時降低終端產(chǎn)品的成本和尺寸。較上一代插拔式Mini SIM卡連接器，TE這款新產(chǎn)品可額外節(jié)省35%的PCB（印刷電路板）空間，并具有更小的外形尺寸，從而為終端設(shè)備的尺寸設(shè)計(jì)和應(yīng)用帶來了更大的靈活性。

2013-01-24

連接器插拔式 TE

可用于智能手機(jī)的新款超小型功率MOSFET

國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱 IR) 擴(kuò)展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的 HEXFET MOSFET 硅技術(shù)，為一系列的低功耗應(yīng)用，包括智能手機(jī)、平板電腦、攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、筆記本電腦、服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備，提供超小型、高密度和高效率的解決方案。

2013-01-24

智能手機(jī) MOSFET 平板電腦

可用于智能手機(jī)的新款超小型功率MOSFET

2013-01-24

智能手機(jī) MOSFET 平板電腦

可用于智能手機(jī)的新款超小型功率MOSFET

2013-01-24

智能手機(jī) MOSFET 平板電腦

新型功率MOSFET系列，將DC-DC 開關(guān)應(yīng)用效率提升2%

國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出DirectFETplus 功率MOSFET 系列，采用了IR 的新一代硅技術(shù)，可為 12V 輸入同步降壓應(yīng)用提供最佳效率，這些應(yīng)用包括新一代服務(wù)器、臺式電腦和筆記本電腦。

2013-01-24

MOSFET 硅技術(shù) 最佳效率

新型功率MOSFET系列，將DC-DC 開關(guān)應(yīng)用效率提升2%

2013-01-24

MOSFET 硅技術(shù) 最佳效率

新型功率MOSFET系列，將DC-DC 開關(guān)應(yīng)用效率提升2%

2013-01-24

MOSFET 硅技術(shù) 最佳效率

村田發(fā)布世界最小尺寸的獨(dú)石陶瓷電容

村田制作開發(fā)了世界最小008004尺寸（0.25×0.125mm）的獨(dú)石陶瓷電容器。相較于現(xiàn)在一部分智能手機(jī)配備01005尺寸（0.4×0.2mm）電容器，實(shí)現(xiàn)了減少約75%的體積。適用于小型便攜式設(shè)備的各種模塊。

2013-01-24

村田獨(dú)石陶瓷電容器智能手機(jī)

村田發(fā)布世界最小尺寸的獨(dú)石陶瓷電容

2013-01-24

村田獨(dú)石陶瓷電容器智能手機(jī)

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