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智能家居

民品使用的SolidMatrix片式熔斷器

AEM運(yùn)用多項(xiàng)自有專利技術(shù)開發(fā)、制造的民品SolidMatrix片式熔斷器，具有優(yōu)越的性能，產(chǎn)品系列豐富。

2013-01-25

熔斷器系列產(chǎn)品 AEM

TE新一代鋰離子電池保護(hù)方案

便攜電池市場(chǎng)正在從傳統(tǒng)低功率便攜應(yīng)用向更高功率應(yīng)用發(fā)展。鋰離子電池的動(dòng)力便攜應(yīng)用見證了這一趨勢(shì)，例如該產(chǎn)品在電動(dòng)工具，機(jī)動(dòng)車動(dòng)力（如電動(dòng)自行車）或備用電源（如太陽(yáng)能電池板的備用系統(tǒng)）上的應(yīng)用。

2013-01-24

TE 鋰離子電池電路保護(hù)

【電源設(shè)計(jì)小貼士5】：降壓控制器在電源設(shè)計(jì)中的使用

電子電路通常都工作在正穩(wěn)壓輸出電壓下，而這些電壓一般都是由降壓穩(wěn)壓器來(lái)提供的。如果同時(shí)還需要負(fù)輸出電壓，那么在降壓—升壓拓?fù)渲芯涂梢耘渲孟嗤慕祲嚎刂破鳌?/p>

2013-01-24

電源設(shè)計(jì) 降壓控制器

響應(yīng)時(shí)間不大于25nS，單體突波耐電流能力達(dá)70KA的MOV

君耀壓敏電阻符合多項(xiàng)檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)，并提供豐富的產(chǎn)品系列以供選型。該系列產(chǎn)品具有快速的響應(yīng)速度，響應(yīng)時(shí)間≤25nS，突波耐電流能力從幾百安培到幾十千安培不等，單體最大可達(dá) 70KA。

2013-01-24

君耀 MOV 壓敏電阻

響應(yīng)時(shí)間不大于25nS，單體突波耐電流能力達(dá)70KA的MOV

2013-01-24

君耀 MOV 壓敏電阻

響應(yīng)時(shí)間不大于25nS，單體突波耐電流能力達(dá)70KA的MOV

2013-01-24

君耀 MOV 壓敏電阻

超薄插拔式Micro SIM卡連接器，高度僅為1.24毫米

TE近日發(fā)布了一款超薄插拔式Micro SIM卡連接器。這款先進(jìn)的硬件解決方案可以在提高效率的同時(shí)降低終端產(chǎn)品的成本和尺寸。較上一代插拔式Mini SIM卡連接器，TE這款新產(chǎn)品可額外節(jié)省35%的PCB（印刷電路板）空間，并具有更小的外形尺寸，從而為終端設(shè)備的尺寸設(shè)計(jì)和應(yīng)用帶來(lái)了更大的靈活性。

2013-01-24

連接器插拔式 TE

超薄插拔式Micro SIM卡連接器，高度僅為1.24毫米

2013-01-24

連接器插拔式 TE

可用于智能手機(jī)的新款超小型功率MOSFET

國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱 IR) 擴(kuò)展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的 HEXFET MOSFET 硅技術(shù)，為一系列的低功耗應(yīng)用，包括智能手機(jī)、平板電腦、攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、筆記本電腦、服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備，提供超小型、高密度和高效率的解決方案。

2013-01-24

智能手機(jī) MOSFET 平板電腦

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響應(yīng)時(shí)間不大于25nS，單體突波耐電流能力達(dá)70KA的MOV

響應(yīng)時(shí)間不大于25nS，單體突波耐電流能力達(dá)70KA的MOV

響應(yīng)時(shí)間不大于25nS，單體突波耐電流能力達(dá)70KA的MOV

超薄插拔式Micro SIM卡連接器，高度僅為1.24毫米

超薄插拔式Micro SIM卡連接器，高度僅為1.24毫米

可用于智能手機(jī)的新款超小型功率MOSFET

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響應(yīng)時(shí)間不大于25nS，單體突波耐電流能力達(dá)70KA的MOV

響應(yīng)時(shí)間不大于25nS，單體突波耐電流能力達(dá)70KA的MOV

超薄插拔式Micro SIM卡連接器，高度僅為1.24毫米

超薄插拔式Micro SIM卡連接器，高度僅為1.24毫米

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