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FDZ391P：Fairchild最新CSP封裝P溝道MOSFET

飛兆半導(dǎo)體公司推出采用1 x 1.5 x 0.4mm WL-CSP封裝的單一P溝道MOSFET器件FDZ391P，能滿(mǎn)足便攜應(yīng)用對(duì)外型薄、電能和熱效率高的需求。這款P溝道MOSFET器件的側(cè)高比標(biāo)準(zhǔn)P溝道MOSFET降低40%，可滿(mǎn)足下一代手機(jī)、MP3播放器和其它便攜應(yīng)用的纖細(xì)外形尺寸要求。

2008-11-10

FDZ391P P溝道MOSFET

射頻電路板設(shè)計(jì)技巧

成功的RF設(shè)計(jì)是整個(gè)電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵，在理論上RF電路板設(shè)計(jì)還是有很多不確定性，但也不全是無(wú)章可循。本文就從實(shí)體分區(qū)和電氣分區(qū)兩個(gè)方面集中探討了和RF電路板分區(qū)設(shè)計(jì)的有關(guān)問(wèn)題，希望可以幫助相關(guān)人員找到設(shè)計(jì)的依據(jù)。

2008-11-10

RF 微過(guò)孔實(shí)體分區(qū) 電氣分區(qū) 屏蔽

射頻電路板設(shè)計(jì)技巧

2008-11-10

RF 微過(guò)孔實(shí)體分區(qū) 電氣分區(qū) 屏蔽

射頻電路板設(shè)計(jì)技巧

2008-11-10

RF 微過(guò)孔實(shí)體分區(qū) 電氣分區(qū) 屏蔽

如何選擇合適的晶振產(chǎn)品

本文主要討論如何選擇合適的晶振產(chǎn)品，提供了晶振選型時(shí)關(guān)心的技術(shù)指標(biāo)，從頻率、頻率穩(wěn)定度、電源電壓、輸出、工作溫度范圍、相位噪聲和抖動(dòng)、牽引范圍、封裝、老化率等方面提供了選晶振產(chǎn)品的技術(shù)指導(dǎo)。

2008-11-10

晶振選型晶振參數(shù) KVG

如何準(zhǔn)確地貼裝0201元件

業(yè)界所面臨的現(xiàn)實(shí)是零件變得越來(lái)越小。例如，0201片狀電容比0402小75%，在電路板上所占的面積少66%，這些元件在本十年的早期將出現(xiàn)在一些通用的印刷電路板上，而甚至更小的01005片狀元件到2005年將在空間更珍貴的模塊電路板上看到。本文主要介紹了如何準(zhǔn)確地貼裝0201元件并得出結(jié)論。

2008-11-10

0201元件貼裝焊盤(pán) 測(cè)試工作坊

如何準(zhǔn)確地貼裝0201元件

2008-11-10

0201元件貼裝焊盤(pán) 測(cè)試工作坊

應(yīng)用于EMI及ESD的新型片式元器件

第三代移動(dòng)通信最終將使高速率（2Mbps）無(wú)線(xiàn)傳輸?shù)臄?shù)據(jù)通信和多媒體通信實(shí)現(xiàn)真正的無(wú)縫漫游，全面推動(dòng)現(xiàn)代通信與信息技術(shù)的個(gè)人化、移動(dòng)化和全球一體化。順應(yīng)通信與信息終端的便攜化、小型化與多功能化發(fā)展潮流，新型元器件呈現(xiàn)微型化、復(fù)合化、高頻化、高性能化等趨勢(shì)。

2008-11-10

EMI ESD 片式元件

應(yīng)用于EMI及ESD的新型片式元器件

2008-11-10

EMI ESD 片式元件

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FDZ391P：Fairchild最新CSP封裝P溝道MOSFET

射頻電路板設(shè)計(jì)技巧

射頻電路板設(shè)計(jì)技巧

射頻電路板設(shè)計(jì)技巧

如何選擇合適的晶振產(chǎn)品

如何準(zhǔn)確地貼裝0201元件

如何準(zhǔn)確地貼裝0201元件

應(yīng)用于EMI及ESD的新型片式元器件

應(yīng)用于EMI及ESD的新型片式元器件

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