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Vishay推出采用TurboFET技術(shù)第三代功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴(kuò)展其第三代 TrenchFET 功率 MOSFET 系列。這些器件首次采用 TurboFET技術(shù)，利用新電荷平衡漏結(jié)構(gòu)將柵極電荷降低多達(dá) 45%，從而大幅降低切換損耗及提高切換速度。

2008-12-05

SiS426DN SiR496DP Si7718DN Si7784DP TrenchFET 功率MOSFET MOSFET

Vishay推出采用TurboFET技術(shù)第三代功率MOSFET

2008-12-05

SiS426DN SiR496DP Si7718DN Si7784DP TrenchFET 功率MOSFET MOSFET

工信部稱電子產(chǎn)業(yè)內(nèi)資日子好過外資

中國電子信息產(chǎn)業(yè)受金融危機(jī)之創(chuàng)明顯，進(jìn)入第三季度后至10月底，該產(chǎn)業(yè)增加值的增速一路下滑，而進(jìn)出口增速同比也有較大回落。工業(yè)和信息化部(下稱“工信部”)昨天公布的10月份國內(nèi)電子信息產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)運(yùn)行情況、1～10月電子產(chǎn)業(yè)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展速度已明顯放緩，結(jié)構(gòu)調(diào)整繼續(xù)深化。

2008-12-04

電子信息產(chǎn)業(yè) 電子制造業(yè)

工信部稱電子產(chǎn)業(yè)內(nèi)資日子好過外資

2008-12-04

電子信息產(chǎn)業(yè) 電子制造業(yè)

工信部稱電子產(chǎn)業(yè)內(nèi)資日子好過外資

2008-12-04

電子信息產(chǎn)業(yè) 電子制造業(yè)

磁性材料：出口大于進(jìn)口

2007年磁性材料出口121506萬美元，同比增長41.73%，數(shù)量280192噸，同比增長21.84%；進(jìn)口額4275萬美元，同比增長12.06%，進(jìn)口量66874噸，同比減少3.46%。

2008-12-04

磁性材料氧化鐵鐵磷

磁性材料：出口大于進(jìn)口

2008-12-04

磁性材料氧化鐵鐵磷

磁性材料：出口大于進(jìn)口

2008-12-04

磁性材料氧化鐵鐵磷

亨通光電入選2008全球華商高科技500強(qiáng)

11月20日在湖北荊州舉行的第二屆全球華商500強(qiáng)高科技論壇上，由世界杰出華商協(xié)會組織的“2008全球華商高科技500強(qiáng)”正式揭榜。江蘇亨通光電股份有限公司作為華商高科技企業(yè)獲此殊榮，同時(shí)，亨通集團(tuán)董事長兼總裁崔根良榮獲全球華商高科技領(lǐng)袖勛章。

2008-12-04

2008全球華商高科技500強(qiáng) 光電

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Vishay推出采用TurboFET技術(shù)第三代功率MOSFET

工信部稱電子產(chǎn)業(yè)內(nèi)資日子好過外資

工信部稱電子產(chǎn)業(yè)內(nèi)資日子好過外資

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磁性材料：出口大于進(jìn)口

磁性材料：出口大于進(jìn)口

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亨通光電入選2008全球華商高科技500強(qiáng)

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