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智能家居

獲工信部4500億元財(cái)政支持 3G將借力起飛

工業(yè)和信息化部部長(zhǎng)李毅中13日在國(guó)務(wù)院新聞辦召開的新聞發(fā)布會(huì)上表示,對(duì)于3G的發(fā)展,預(yù)計(jì)兩年半到三年會(huì)投入4500億元,三家運(yùn)營(yíng)商各發(fā)展用戶最少5000萬戶,爭(zhēng)取達(dá)到8000萬

2009-08-18

3G TD 工信部

全球平板看“金磚” “金磚”平板看中國(guó)

2009年1季度，全球平板電視出貨量2900多萬臺(tái)，同比增幅24%。同比雖然上升，但低于2008年31%的增幅。從美國(guó)、歐洲、日本等平板電視市場(chǎng)看，情況也非常不樂觀，都出現(xiàn)了增速放緩、增速停滯、甚至出現(xiàn)負(fù)增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)。

2009-08-18

平板電視金磚中國(guó)

全球平板看“金磚” “金磚”平板看中國(guó)

2009-08-18

平板電視金磚中國(guó)

全球平板看“金磚” “金磚”平板看中國(guó)

2009-08-18

平板電視金磚中國(guó)

SiB4xxDK：Vishay采用熱增強(qiáng)PowerPAK SC-75封裝的N溝道功率MOSFET

日前，Vishay 宣布，推出采用熱增強(qiáng)PowerPAK SC-75封裝、提供8V～30V VDS的功率MOSFET，擴(kuò)大了N溝道TrenchFET家族的陣容。今天發(fā)布的器件包括業(yè)界首款采用1.6mm x 1.6mm占位的30V器件，以及具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的20V MOSFET。

2009-08-18

MOSFET 負(fù)載功放便攜電子 Vishay

SiB4xxDK：Vishay采用熱增強(qiáng)PowerPAK SC-75封裝的N溝道功率MOSFET

2009-08-18

MOSFET 負(fù)載功放便攜電子 Vishay

SiB4xxDK：Vishay采用熱增強(qiáng)PowerPAK SC-75封裝的N溝道功率MOSFET

2009-08-18

MOSFET 負(fù)載功放便攜電子 Vishay

全球太陽(yáng)能設(shè)備制造業(yè)深陷產(chǎn)能過剩危機(jī)

近年，隨著新能源概念的逐漸普及，太陽(yáng)能設(shè)備制造業(yè)成為增長(zhǎng)最快的產(chǎn)業(yè)之一。歐洲光伏產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)預(yù)計(jì)，在２００８年至２０１０年之間，僅硅晶制造業(yè)的投資就可能超過４１億歐元。下游產(chǎn)業(yè)的情況也類似，去年全球太陽(yáng)能電池和太陽(yáng)能板制造業(yè)的投入超過１６億歐元。

2009-08-18

太陽(yáng)能產(chǎn)能過剩危機(jī)

全球太陽(yáng)能設(shè)備制造業(yè)深陷產(chǎn)能過剩危機(jī)

2009-08-18

太陽(yáng)能產(chǎn)能過剩危機(jī)

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獲工信部4500億元財(cái)政支持 3G將借力起飛

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全球平板看“金磚” “金磚”平板看中國(guó)

全球平板看“金磚” “金磚”平板看中國(guó)

SiB4xxDK：Vishay采用熱增強(qiáng)PowerPAK SC-75封裝的N溝道功率MOSFET

SiB4xxDK：Vishay采用熱增強(qiáng)PowerPAK SC-75封裝的N溝道功率MOSFET

SiB4xxDK：Vishay采用熱增強(qiáng)PowerPAK SC-75封裝的N溝道功率MOSFET

全球太陽(yáng)能設(shè)備制造業(yè)深陷產(chǎn)能過剩危機(jī)

全球太陽(yáng)能設(shè)備制造業(yè)深陷產(chǎn)能過剩危機(jī)

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