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移動通信卡：3G時(shí)代的角色變化

伴隨改革開放的深入和經(jīng)濟(jì)的進(jìn)一步轉(zhuǎn)型，移動通信技術(shù)得到迅猛發(fā)展，手機(jī)普及率得到迅速提高。2004~2008年，移動電話用戶數(shù)量每年都保持著17%以上的快速增長，截止到2008年底，移動電話用戶數(shù)量已經(jīng)達(dá)到6.41億戶，與2004年相比增長了近一倍。

2009-08-21

SIM 3G 中國移動

移動通信卡：3G時(shí)代的角色變化

2009-08-21

SIM 3G 中國移動

FDZ371PZ：飛兆半導(dǎo)體1mm x 1mm WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET

飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)宣布推出1mm x 1mm WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET器件FDZ371PZ，該器件設(shè)計(jì)采用飛兆半導(dǎo)體的專有PowerTrench?工藝技術(shù)，為手機(jī)、醫(yī)療、便攜和消費(fèi)應(yīng)用設(shè)計(jì)人員帶來業(yè)界最低RDS(ON) 值(-4.5V下為75m?) ，能夠最大限度地減小傳導(dǎo)損耗。

2009-08-21

FDZ371PZ MOSFET 消費(fèi)電子 Fairchild 飛兆半導(dǎo)體

FDZ371PZ：飛兆半導(dǎo)體1mm x 1mm WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET

2009-08-21

FDZ371PZ MOSFET 消費(fèi)電子 Fairchild 飛兆半導(dǎo)體

FDZ371PZ：飛兆半導(dǎo)體1mm x 1mm WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET

2009-08-21

FDZ371PZ MOSFET 消費(fèi)電子 Fairchild 飛兆半導(dǎo)體

CM6100：CMD 面向高速串行接口的低電容靜電放電保護(hù)設(shè)備

California Micro Devices（簡稱"CMD"）今天宣布推出為 USB 2.0 高速接口和低壓差分信號與新興串行接口（如用在手機(jī)和其它移動設(shè)備中的移動產(chǎn)業(yè)處理器接口）提供雙通道15 kV 保護(hù)的低電容靜電放電 (ESD) 設(shè)備 PicoGuard CM6100。

2009-08-21

PicoGuard CM6100 ESD保護(hù)

CM6100：CMD 面向高速串行接口的低電容靜電放電保護(hù)設(shè)備

2009-08-21

PicoGuard CM6100 ESD保護(hù)

CM6100：CMD 面向高速串行接口的低電容靜電放電保護(hù)設(shè)備

2009-08-21

PicoGuard CM6100 ESD保護(hù)

STB市場增長強(qiáng)勁，高端產(chǎn)品受青睞

據(jù)iSuppli公司，盡管經(jīng)濟(jì)危機(jī)對電子行業(yè)的整體不利影響仍然存在，但預(yù)計(jì)2009年全球機(jī)頂盒(STB)出貨量將增長到1.367億個(gè)，比2008年時(shí)的1.312億個(gè)增加4.2%。

2009-08-20

iSuppli STB

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