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醫(yī)療穿戴

MOS管的Miller 效應(yīng)

本文對(duì)于 MOS 管工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)下的 Miller 效應(yīng)的原因與現(xiàn)象進(jìn)行了分析。巧妙的應(yīng)用 Miller 效應(yīng)可以實(shí)現(xiàn)電源的緩啟動(dòng)。

2022-10-12

MOS管米勒效應(yīng)

如何應(yīng)對(duì)不間斷電源(UPS)設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

電池供電的不間斷電源(UPS)在保護(hù)數(shù)據(jù)中心、醫(yī)療設(shè)施、工廠、電信樞紐甚至家庭中的敏感設(shè)備免受短期電網(wǎng)尖峰和停電影響方面非常重要。在停電時(shí)間較長(zhǎng)的情況下，它們能夠提供必要的短期電力，以實(shí)現(xiàn)有準(zhǔn)備的斷電，防止數(shù)據(jù)丟失。

2022-09-29

不間斷電源電路設(shè)計(jì)

電源設(shè)計(jì)器件布局和布線(xiàn)要點(diǎn)

在電源設(shè)計(jì)中，精心的布局和布線(xiàn)對(duì)于能否實(shí)現(xiàn)出色設(shè)計(jì)至關(guān)重要，要為尺寸、精度、效率留出足夠空間，以避免在生產(chǎn)中出現(xiàn)問(wèn)題。我們可以利用多年的測(cè)試經(jīng)驗(yàn)，以及布局工程師具備的專(zhuān)業(yè)知識(shí)，最終完成電路板生產(chǎn)。

2022-09-26

電源設(shè)計(jì) 布局

什么是dV/dt失效

如下圖（2）所示，dV/dt失效是由于MOSFET關(guān)斷時(shí)流經(jīng)寄生電容Cds的瞬態(tài)充電電流流過(guò)基極電阻RB，導(dǎo)致寄生雙極晶體管的基極和發(fā)射極之間產(chǎn)生電位差VBE，使寄生雙極晶體管導(dǎo)通，引起短路并造成失效的現(xiàn)象。通常，dV/dt越大（越陡），VBE的電位差就越大，寄生雙極晶體管越容易導(dǎo)通，從而越容易發(fā)生失效...

2022-09-22

dV/dt失效 MOSFET

【無(wú)電感】小尺寸 AMOLED 電源芯片

SGM38045 是圣邦微電子重點(diǎn)推出的一顆專(zhuān)門(mén)為智能手環(huán)、智能手表等小尺寸 AMOLED 顯示屏提供 AVDD、ELVDD、ELVSS 的無(wú)電感電源管理芯片。

2022-09-21

AMOLED 電源芯片

MEMS麥克風(fēng)已成消費(fèi)市場(chǎng)的主流產(chǎn)品選擇

麥克風(fēng)已經(jīng)是眾多電子產(chǎn)品中內(nèi)置的標(biāo)準(zhǔn)器件，從可穿戴設(shè)備到家庭助理，越來(lái)越多的設(shè)備被要求“聽(tīng)到”它們的環(huán)境，并隨之做出相對(duì)的反應(yīng)。本文將全面概述麥克風(fēng)類(lèi)型和基本原理，以及CUI Devices微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）麥克風(fēng)的產(chǎn)品特性。

2022-08-29

MEMS麥克風(fēng) 消費(fèi)市場(chǎng)

在開(kāi)關(guān)模式電源中，當(dāng)脈沖被忽略時(shí)...

即使是具有固定開(kāi)關(guān)頻率的開(kāi)關(guān)電源，也并非總是顯示連續(xù)的脈沖。在某些情況下，由于各種原因，脈沖會(huì)被忽略。在考慮輸出紋波電壓和EMI效應(yīng)時(shí)，這一點(diǎn)非常重要。

2022-08-29

開(kāi)關(guān)電源脈沖穩(wěn)壓器

用萬(wàn)用表測(cè)試LED，有哪些注意事項(xiàng)？

LED（發(fā)光二極管）是一種半導(dǎo)體二極管（一種p-n結(jié)），可在正電流從LED陽(yáng)極流向陰極時(shí)發(fā)光。陽(yáng)極表示為“+”，即二極管的正極。陰極表示為“-”，即二極管的負(fù)極。

2022-08-19

萬(wàn)用表測(cè)試 LED

如何抑制開(kāi)關(guān)電源的輸出紋波？

在開(kāi)關(guān)電源中，穩(wěn)定直流信號(hào)中交流紋波的疊加通常都是工程師苦惱的問(wèn)題，那么我們?nèi)绾蝸?lái)減小和抑制紋波噪聲呢？

2022-08-17

抑制開(kāi)關(guān)電源輸出紋波

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