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醫(yī)療穿戴

開關(guān)電源PCB 電磁兼容性的建模分析

開關(guān)型變換器噪聲的干擾路徑為干擾源和被干擾設(shè)備提供了耦合條件，對(duì)其共模干擾和差模干擾的研究尤為重要。本文主要分析了電路主要元器件的高頻模型以及共模和差模噪聲的電路模型，為開關(guān)電源PCB 的EMC 優(yōu)化設(shè)計(jì)提供有益的幫助。

2011-10-08

開關(guān)電源 PCB 電磁兼容共模干擾差模干擾

開關(guān)電源的導(dǎo)通、截止與啟動(dòng)

開關(guān)電源中的開關(guān)管從導(dǎo)通到截止，嚴(yán)格來(lái)說(shuō)是一個(gè)非常復(fù)雜的過(guò)程，但我們?cè)谶M(jìn)行工作原理分析的時(shí)候，一般都會(huì)先對(duì)一些非主要問(wèn)題進(jìn)行簡(jiǎn)單化。例如，當(dāng)電源開關(guān)管導(dǎo)通或截止的時(shí)候，我們就把它看成是一個(gè)理想的開關(guān)，其工作時(shí)只有兩種狀態(tài)，通或斷。但實(shí)際上開關(guān)管的導(dǎo)通和關(guān)斷都是一個(gè)很復(fù)雜的過(guò)程...

2011-10-07

開關(guān)電源開關(guān)管導(dǎo)通截至

同步降壓MOSFET 電阻比的正確選擇

在本文中，我們將研究在同步降壓功率級(jí)中如何對(duì)傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)。進(jìn)行這種折中處理可得到一個(gè)用于 FET 選擇的非常有用的起始點(diǎn)。

2011-10-07

MOSFET 電阻比同步降壓MOSFET

2011年1-8月電子信息產(chǎn)業(yè)固定資產(chǎn)投資情況

今年以來(lái)，在各地大力發(fā)展戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的帶動(dòng)下，電子信息產(chǎn)業(yè)固定資產(chǎn)投資保持高速增長(zhǎng)，新開工項(xiàng)目明顯增多，基礎(chǔ)元器件領(lǐng)域投資領(lǐng)先增長(zhǎng)，行業(yè)結(jié)構(gòu)不斷調(diào)整。主要特點(diǎn)為：增速持續(xù)保持高位，投資規(guī)模超過(guò)去年11個(gè)月水平；光電器件、新能源電池等領(lǐng)域新開工項(xiàng)目明顯增多，帶動(dòng)全行業(yè)新開工項(xiàng)目...

2011-10-06

電子信息電子信息產(chǎn)業(yè)

2011年硅磁傳感器銷售額預(yù)計(jì)增長(zhǎng)24%

據(jù)IHS iSuppli公司的MEMS與傳感器專題報(bào)告，汽車產(chǎn)業(yè)恢復(fù)生機(jī)，全球智能手機(jī)和平板電腦對(duì)于數(shù)字羅盤的需求上升，正在推動(dòng)硅磁傳感器市場(chǎng)加速增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)2011年銷售額將上升23.7%。

2011-10-05

硅磁傳感器傳感器 MEMS

半導(dǎo)體庫(kù)存進(jìn)一步提升　產(chǎn)能過(guò)剩警報(bào)響起

研究機(jī)構(gòu)Gartner表示，2011年三季度半導(dǎo)體庫(kù)存將進(jìn)一步提升，達(dá)到“令人擔(dān)憂”的水平?！罢麄€(gè)行業(yè)產(chǎn)能過(guò)剩的警報(bào)已經(jīng)開始響起?！比虻谌蟀雽?dǎo)體代工企業(yè)格羅方德半導(dǎo)體(GlobalFoundries)首席執(zhí)行官AjitManocha明確指出?！?/p>

2011-10-04

半導(dǎo)體產(chǎn)能半導(dǎo)體封測(cè)

LED點(diǎn)彩壓階傳輸技術(shù)

LED全彩單總線信號(hào)驅(qū)動(dòng)IC在工程應(yīng)用上給工程設(shè)計(jì)人員帶來(lái)了更多的信心。壓階傳輸技術(shù)應(yīng)用在單線傳輸技術(shù)基礎(chǔ)上，就顯得格外的簡(jiǎn)便，下面我們就以LED全彩單總線驅(qū)動(dòng)IC—CYT3015為驅(qū)動(dòng)芯片，來(lái)介紹壓階傳輸技術(shù)在LED點(diǎn)彩技術(shù)的應(yīng)用。

2011-09-30

LED 壓階傳輸壓階 LED點(diǎn)彩

超級(jí)電容器的壽命分析

本文提出了高溫對(duì)超級(jí)電容器壽命的影響超出預(yù)想的原因并分析了不同的封裝形式在高溫條件下的實(shí)際壽命以及壽命減半的溫度差；給出了實(shí)際電壓與壽命的相對(duì)關(guān)系；分析了不同形式的單體電壓均衡的效果。

2011-09-30

電容電容器超級(jí)電容器

ACuQor? G系列：SynQor發(fā)布1400W電源適用于醫(yī)療設(shè)備

SynQor公司在AC-DC技術(shù)領(lǐng)域繼續(xù)成功研發(fā)新產(chǎn)品，推出了專為醫(yī)療應(yīng)用設(shè)計(jì)的最新設(shè)備：ACuQor? G系列電源。該系列下線電源尺寸僅為4.75" x 7.0" x 1.63"，提供800W/1100W/1400W可用功率，是此功率等級(jí)中世界上最小的心臟監(jiān)護(hù)、醫(yī)療級(jí)AC-DC轉(zhuǎn)換器。SynQor的技術(shù)創(chuàng)新使其成為DC-DC轉(zhuǎn)換器市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者，A...

2011-09-30

ACuQor? G SynQor 醫(yī)療設(shè)備

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