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ARM Cortex-M3內(nèi)核MCU又添新兵，初創(chuàng)公司主打超低功耗應(yīng)用

采用Cortex-M3內(nèi)核的MCU廠商通常關(guān)注以下幾點(diǎn)特性：更低的功耗，更高的運(yùn)算能力，更低的價(jià)格，更多的外設(shè)。日前，一家來自挪威的初創(chuàng)公司Energy Micro就主打低功耗特性，發(fā)布了新的Cortex-M3內(nèi)核MCU產(chǎn)品系列。

2010-03-11

Cortex-M3 Energy Micro MCU

中電器材LED照明解決方案研討會(huì)成功召開

3月5日下午，中國(guó)電子器材深圳有限公司攜手美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司（NSC）與臺(tái)灣興華電子（CSC）在深圳市華強(qiáng)北電子科技大廈成功舉辦LED照明解決方案研討會(huì)

2010-03-11

中電器材 LED照明 LED路燈研討會(huì)

FSEZ1307/FSEZ1317/FAN103：飛兆半導(dǎo)體提供種類最豐富的初級(jí)端調(diào)節(jié)PWM控制器系列

飛兆半導(dǎo)體公司業(yè)界領(lǐng)先的初級(jí)端調(diào)節(jié)(PSR)脈寬調(diào)制(PWM)控制器系列為移動(dòng)充電器、適配器及LED照明應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員提供了多種解決方案，以滿足能源之星(ENERGY STAR?) Level V等標(biāo)準(zhǔn)嚴(yán)格的功率和穩(wěn)壓規(guī)范要求。

2010-03-11

FSEZ1307 FSEZ1317 FAN103 飛兆半導(dǎo)體 PWM控制器

分析師紛紛提高2010年半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)測(cè)

Semiconductor International 全球1月半導(dǎo)體的銷售額數(shù)據(jù)出籠，讓分析師們的眼睛一亮，紛紛提高2010年的預(yù)測(cè)。為什么如此迫不及待，值得思考。

2010-03-10

半導(dǎo)體 iSuppli Gartner 電子產(chǎn)業(yè)

恩智浦華麗轉(zhuǎn)型，搶占高性能混合信號(hào)芯片市場(chǎng)

隨著臺(tái)灣地區(qū)的半導(dǎo)體廠商在低成本手機(jī)、數(shù)字電視等領(lǐng)域的SoC方案不斷占領(lǐng)市場(chǎng)份額，SoC在這些領(lǐng)域的利潤(rùn)也在不斷被拉低，不少歐美大廠逐漸放棄了這些領(lǐng)域的數(shù)字芯片業(yè)務(wù)，而轉(zhuǎn)而強(qiáng)調(diào)對(duì)設(shè)計(jì)和工藝要求更高、利潤(rùn)也更高的模擬和混合信號(hào)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。

2010-03-10

混合信號(hào) 恩智浦模擬

恩智浦半導(dǎo)體推出新一代高效率低VCEsat晶體管

這些晶體管稱為突破性小信號(hào)(BISS)晶體管，正如其名，它們?yōu)闇p少打開導(dǎo)通電阻確立了新的基準(zhǔn)，使開關(guān)時(shí)間減到絕對(duì)最小值。超低VCEsat 分支的晶體管在1 A時(shí)實(shí)現(xiàn)了50 mV的超低飽和電壓。4種新的高速開關(guān)晶體管使開關(guān)和存儲(chǔ)時(shí)間降低到125 ns。新型BISS-4產(chǎn)品表明，雙極晶體管技術(shù)為要求更高性能和降低...

2010-03-10

恩智浦新一代高效率低VCEsat 晶體管

IR推出行業(yè)首批商用氮化鎵集成功率級(jí)器件

國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出行業(yè)首個(gè)商用集成功率級(jí)產(chǎn)品系列，采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率器件技術(shù)平臺(tái)。嶄新的iP2010和iP2011系列器件是為多相和負(fù)載點(diǎn) (POL) 應(yīng)用設(shè)計(jì)的，包括服務(wù)器、路由器、交換機(jī)，以及通用POL DC-DC轉(zhuǎn)換器。

2010-03-10

IR 商用集成氮化鎵功率級(jí)器件

136D：Vishay推出新款鉭外殼液鉭電容器

近日，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出采用glass-to-tantalum新型密封的新系列鉭外殼液鉭電容器——136D。對(duì)于高可靠性應(yīng)用，136D器件可在-55℃～+85℃溫度范圍內(nèi)工作，在電壓降額的情況下可在+200℃下工作，在120Hz和+25℃條件下的ESR低至0.44Ω。

2010-03-09

136D Vishay 鉭電容器

OPB733TR：Optekinc推出用于空間受限反射傳感器

Optekinc推出用于空間受限的反射傳感器OPB733TR，OPB733TR反射型物體傳感器尺寸為0.3" x 0.16"，PCB貼裝高度為0.114吋，在空間受限應(yīng)用中具有增強(qiáng)的傳感范圍。

2010-03-09

OPB733TR Optekinc 傳感器透鏡IR LED 光電晶體管

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