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安防監(jiān)控

基于磁敏角度技術(shù)的拉線式位移傳感器的設(shè)計分析

傳統(tǒng)的拉線式位移傳感器采用電位器式位移傳感器，它通過電位器元件將機械位移轉(zhuǎn)換成與之成線性或任意函數(shù)關(guān)系的電阻或電壓輸出。普通直線電位器和圓形電位器都可分別用作直線位移和角位移傳感器。

2012-02-14

磁敏角度拉線式傳感器

電路設(shè)計中三極管和mos管的區(qū)別

我們在做電路設(shè)計中三極管和MOS管做開關(guān)用時候有什么區(qū)別工作性質(zhì)：1.三極管用電流控制，MOS管屬于電壓控制.2、成本問題：三極管便宜，MOS管貴。3、功耗問題：三極管損耗大。

2012-02-14

電路設(shè)計三極管 mos管雙極晶體管

基于加載技術(shù)在天線小型化設(shè)計

隨著現(xiàn)代軍事通信系統(tǒng)中跳頻、擴頻等技術(shù)的應(yīng)用，天線作為通信設(shè)備的前端部件，對通信質(zhì)量起著至關(guān)重要的作用。然而傳統(tǒng)的天線形式和功能在一定程度上不能跟上通信系統(tǒng)小型化的發(fā)展需求，尋求天線的全向性、小型化、寬帶化、共用化成為天線研究中一個重要課題。

2012-02-14

加載技術(shù) 天線帶寬 RLC

PCB焊接工藝使用氮氣的理由

焊接的一個行進中的問題是在回流焊接爐中使用氮氣的好處。在這個主題上我遇到的問題至少每周一次。這個問題不是什么新問題。十年前，所訂購的回流焊接爐至少一半規(guī)定有氮氣容器。最近與回流焊接爐制造商的交談告訴我，這個比例保持還是一樣的，盡管使用氮氣的關(guān)鍵理由現(xiàn)在再不是什么站得住腳的理由...

2012-02-14

PCB 焊接工藝氮氣氟里昂

第五講：專家解答電路保護設(shè)計的常見問題

本文整理工程師在電路保護設(shè)計中經(jīng)常遇到的一些問題，精選出關(guān)于保險絲、防雷器件和ESD保護器件的選型及應(yīng)用的問題，由資深電路保護設(shè)計專家給予專業(yè)權(quán)威的解答，旨在幫助工程師正確選擇和使用電路保護器件，設(shè)計高可靠性的電路保護解決方案。

2012-02-13

電路保護保險絲熔斷器防雷 ESD

HOMSEMI中低壓MOSFET全面升級8英寸0.18μm Trench工藝

2011年12月，廣州成啟半導(dǎo)體有限公司宣布，HOMSEMI中低壓MOSFET全面使用8英寸、0.18μm、Trench工藝晶圓。成啟半導(dǎo)體表示，這次產(chǎn)品升級已經(jīng)過一年準備和試產(chǎn)，將使Power MOSFET的原胞密度提高、RDS（ON）降低、QG降低，提高整機效率，同時獲得更好的成本控制能力，這意味著，HOMSEMI成為國內(nèi)一線分...

2012-02-13

HOMSEMI Power MOSFET Trench MOSFET

晶閘管在高壓軟起動中的選型及應(yīng)用

晶閘管電機軟起動器的出現(xiàn)，彌補了傳統(tǒng)軟起動器的各種不足，很好地降低了電機的起動電流，降低了配電容量，延長了電機及相關(guān)設(shè)備的使用壽命。起動參數(shù)可視負載調(diào)整，易于維護。本文介紹晶閘管電機軟起動器工作原理，晶閘管的選型及晶閘管的保護設(shè)計。

2012-02-13

晶閘管電機軟起動過壓過流

集成電路對EMI控制的影響

在考慮EMI控制時，設(shè)計工程師及PCB板級設(shè)計工程師首先應(yīng)該考慮IC芯片的選擇。集成電路的某些特征如封裝類型、偏置電壓和芯片的：工藝技術(shù)(例如CMoS、ECI、刀1)等都對電磁干擾有很大的影響。下面將著重探討IC對EMI控制的影響。

2012-02-13

集成電路 IC EMI 電磁干擾

CHiL：IR推出多功能系列數(shù)字脈沖寬度調(diào)制控制器

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)，推出多功能系列CHiL數(shù)字脈沖寬度調(diào)制 (PWM) 控制器，大幅減少占位面積，并能提升多種中高端且性能極高的服務(wù)器、臺式電腦及運算應(yīng)用的效率。IR這六款新器件符合Intel VR12和VR12.5，以及AMD SVI1和SVI2的標準，...

2012-02-13

CHiL IR 控制器

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