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測(cè)試測(cè)量

差分信號(hào)線布線的優(yōu)點(diǎn)和布線策略

布線非?？拷牟罘中盘?hào)對(duì)相互之間也會(huì)互相緊密耦合，這種互相之間的耦合會(huì)減小EMI發(fā)射，差分信號(hào)線的主要缺點(diǎn)是增加了PCB的面積，本文介紹電路板設(shè)計(jì)過(guò)程中采用差分信號(hào)線布線的布線策略。

2010-06-23

差分信號(hào)線布線 PCB 高速設(shè)計(jì)

多晶硅錠制造技術(shù)

用于制造太陽(yáng)能硅片的多晶硅錠的生長(zhǎng)是一個(gè)相當(dāng)復(fù)雜的工藝。硅錠生長(zhǎng)工藝的目標(biāo)在于優(yōu)化硅錠合格率.因此生長(zhǎng)工藝需要進(jìn)行嚴(yán)格監(jiān)控，并需對(duì)定向凝固爐在結(jié)晶工藝期間的無(wú)數(shù)種變量加以有效控制。本文簡(jiǎn)述多晶硅錠的制造技術(shù)

2010-06-23

多晶硅錠凝固工藝線切割凝固爐

新材料對(duì)測(cè)量技術(shù)的挑戰(zhàn)

在談及芯片技術(shù)進(jìn)步時(shí)，除了不斷縮小的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，新材料的采用往往可以另辟蹊徑。目前談?wù)撦^多的是高k介質(zhì)、金屬柵、低k材料等，其它一些較為冷門(mén)的材料，如碳納米管、石墨稀、二嵌段共聚物等也開(kāi)始進(jìn)入人們的視野。越是新興的物質(zhì)越難以捉摸和測(cè)量，這就要求測(cè)量技術(shù)能夠“與時(shí)俱進(jìn)”。本文對(duì)新材料...

2010-06-23

新材料測(cè)量技術(shù) 3D集成硅通孔技術(shù)

日置即將推出最新IM3570阻抗分析儀

即將發(fā)售的阻抗分析儀IM3570是測(cè)量頻率4Hz~5MHz，測(cè)試電平5mV~5V的LCR電橋與阻抗分析儀合二為一的儀器。因?yàn)閷?duì)應(yīng)不同測(cè)量條件都能高速連續(xù)測(cè)量，所以在需要使用眾多儀器檢查的生產(chǎn)線上，僅IM3570一臺(tái)便可實(shí)現(xiàn)。

2010-06-23

日置 IM3570 阻抗分析儀

半導(dǎo)體制造晶圓檢測(cè)技術(shù)分析

半導(dǎo)體制造業(yè)廣泛采用了晶圓自動(dòng)檢測(cè)方法在制造過(guò)程中檢測(cè)缺陷，以緩解工況偏差和減低總?cè)毕菝芏?。本文介紹晶圓檢測(cè)方法進(jìn)展，有效方式識(shí)別與良率相關(guān)的缺陷。

2010-06-22

晶圓檢測(cè) 缺陷檢測(cè) 在線晶圓檢測(cè)

通孔刻蝕工藝的檢測(cè)技術(shù)研究

隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)推進(jìn)到更加先進(jìn)的深亞微米技術(shù)，半導(dǎo)體金屬布線的層數(shù)越來(lái)越多，相應(yīng)的通孔刻蝕工藝也越多，并且伴隨著通孔的尺寸隨著器件設(shè)計(jì)尺寸逐步縮小。以DRAM制造為例，存儲(chǔ)量由4M發(fā)展到512M時(shí)，設(shè)計(jì)規(guī)則由1μm縮小到0.16μm，其中通孔的尺寸也從0.8μm下降到了0.25μm。通孔尺寸越小，刻蝕的...

2010-06-22

通孔刻蝕工藝檢測(cè)技術(shù) 晶體管

射頻封裝系統(tǒng)

在RF系統(tǒng)中，各類元件采用不同的技術(shù)制作而成，例如BBIC采用CMOS技術(shù)、收發(fā)機(jī)采用SiGe和BiCMOS技術(shù)、RF開(kāi)關(guān)采用GaAs技術(shù)等。系統(tǒng)芯片(SOC)的優(yōu)勢(shì)是把所有功能整合在同一塊芯片上，但卻受到各種IC技術(shù)的限制，因此不能有效利用上述各項(xiàng)技術(shù)的優(yōu)勢(shì)。系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)可以對(duì)各種不同技術(shù)的不同電、熱和...

2010-06-22

射頻封裝系統(tǒng) ASIC BBIC

原子層淀積技術(shù)

ALD技術(shù)的獨(dú)特性決定了其在半導(dǎo)體工業(yè)中的運(yùn)用前景十分廣泛。器件尺寸的縮小導(dǎo)致的介質(zhì)薄膜厚度的減小已超出了其物理和電學(xué)極限，同時(shí)高縱寬比在器件結(jié)構(gòu)中隨處可見(jiàn)。由于傳統(tǒng)的淀積技術(shù)很難滿足需求，ALD技術(shù)已充分顯示了其優(yōu)勢(shì)，為器件尺寸的繼續(xù)微縮提供了更加廣闊的空間。本文介紹原子層淀積技...

2010-06-22

原子層淀積 ALD MOCVD PVD

3D與電腦融合平板混戰(zhàn)即將拉開(kāi)

隨著電視機(jī)廠商高歌挺進(jìn)3D后，眾多PC廠商也開(kāi)始舉行3D電腦、3D顯示器的大旗。廠商表示，PC未來(lái)是光明的，更是3D的。目前，融合3D技術(shù)的電腦產(chǎn)品也陸續(xù)登場(chǎng)，不過(guò)，3D電腦還未能現(xiàn)實(shí)裸視。

2010-06-22

3D 電腦平板 PC

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