- P溝道器件最低的導(dǎo)通電阻
- 占位面積1.6mm x 1.6mm
- ESD保護(hù)電壓高達(dá)1500V
- RoHS指令2002/95/EC
- 手機(jī)、智能手機(jī)、PDA和MP3播放器等手持設(shè)備中的負(fù)載、功放和電池開(kāi)關(guān)
日前，Vishay Intertechnology宣布，推出新款12V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET --- SiB455EDK。該器件采用熱增強(qiáng)的PowerPAK SC-75封裝，占位面積為1.6mm x 1.6mm，具有業(yè)內(nèi)P溝道器件最低的導(dǎo)通電阻。
SiB455EDK是采用第三代TrenchFET P溝道技術(shù)的最新產(chǎn)品，使用了自對(duì)準(zhǔn)工藝技術(shù)，在每平方英寸的硅片上裝入了10億個(gè)晶體管單元。這種最先進(jìn)的技術(shù)實(shí)現(xiàn)了超精細(xì)、亞微米的節(jié)距工藝，將業(yè)內(nèi)最好的P溝道MOSFET的導(dǎo)通電阻減小了一半。
SiB455EDK具有超低的導(dǎo)通電阻，在4.5 V、2.5 V、1.8 V和1.5 V下的導(dǎo)通電阻分別為27mΩ、39mΩ、69mΩ和130mΩ，比前一代領(lǐng)先的12V P溝道器件在4.5 V、2.5 V、1.8 V下的導(dǎo)通電阻分別低55%、52%和39%。
該MOSFET可用做手機(jī)、智能手機(jī)、PDA和MP3播放器等手持設(shè)備中的負(fù)載、功放和電池開(kāi)關(guān)。SiB455EDK的低導(dǎo)通電阻意味著更低的導(dǎo)通損耗，小尺寸的PowerPAK SC-75封裝能夠?qū)⒐?jié)省下來(lái)的空間用于實(shí)現(xiàn)其他功能，或是讓終端產(chǎn)品變得更加小巧。
新器件也是僅有的同時(shí)具有10V柵源電壓和可在1.5V電壓下導(dǎo)通的12V MOSFET，因此該器件可用在由于浪涌、尖峰、噪聲或過(guò)壓引起柵極驅(qū)動(dòng)電壓波動(dòng)的應(yīng)用中，同時(shí)也為更小的輸入電壓提供更安全的設(shè)計(jì)。
為減少由ESD引起的現(xiàn)場(chǎng)故障，器件的典型ESD保護(hù)電壓高達(dá)1500V。MOSFET符合IEC 61249-2-21的無(wú)鹵素規(guī)定和RoHS指令2002/95/EC。
新款SiB455EDK TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，將在2010年第一季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為14周到16周。
