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互連技術(shù)

什么樣的PCB才能承受住100 A的電流？

通常的PCB設(shè)計電流都不會超過10 A，甚至5 A。尤其是在家用、消費級電子中，通常PCB上持續(xù)的工作電流不會超過2 A。但是最近要給公司的產(chǎn)品設(shè)計動力走線，持續(xù)電流能達到80 A左右，考慮瞬時電流以及為整個系統(tǒng)留下余量，動力走線的持續(xù)電流應(yīng)該能夠承受100 A以上。

2021-08-25

PCB 電流

聊聊汽車級光伏驅(qū)動器和分立MOSFET

工程師已經(jīng)研究和開發(fā)了可以代替機械繼電器的固態(tài)繼電器設(shè)備。與機械繼電器相比，這些固態(tài)繼電器具有更高的可靠性，更快的切換時間，沒有切換彈跳以及更小的尺寸。但是隨著這些優(yōu)點的出現(xiàn)，帶來了使設(shè)計人員和用戶不愿使用固態(tài)繼電器的缺點。

2021-08-25

汽車級光伏驅(qū)動器分立MOSFET

康普觀點：體育場館穩(wěn)步恢復，5G賦能更佳觀賽體驗

隨著全球大部分地區(qū)的封鎖限制日漸放寬，人們的日常生活也在逐步地回歸往昔。疫情影響下，許多大型集會被迫暫停，其中最令人懷念的就是在現(xiàn)場觀看緊張刺激的體育比賽?，F(xiàn)下，多地的賽事組織者和協(xié)會正籌劃重啟大型體育賽事，屆時將會吸引到大量觀眾的參與。在觀看包括奧運會、足球等賽事時，越來越...

2021-08-24

康普 5G 觀賽體驗

微結(jié)構(gòu)不均勻性（負載效應(yīng)）及其對器件性能的影響：對先進DRAM工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究

在DRAM結(jié)構(gòu)中，電容存儲單元的充放電過程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負載效應(yīng)正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對于先進的DRAM，晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。

2021-08-23

負載效應(yīng) DRAM

如何理解FIT和MTBF

在我們的日常工作中，經(jīng)常會碰到器件失效或系統(tǒng)故障，這時為了清楚界定失效事件的嚴重性，就需要定量的來描述具體的失效率，這就需要用專業(yè)的術(shù)語來溝通，而有的工程師喜歡談FIT，有的工程師喜歡談MTBF，其實這兩個概念所描述的主體是不一樣的，因此有必要在此簡析一下。

2021-08-20

FIT MTBF

康普觀點：構(gòu)建合適的 Wi-Fi 6 基礎(chǔ)設(shè)施至關(guān)重要

數(shù)字化一直是推動著后疫情時期許多機構(gòu)反彈回升的關(guān)鍵使能因素，在推動復蘇的進程中，最具變革性的可能要屬互聯(lián)設(shè)備的指數(shù)級采用。亞太地區(qū)在此趨勢中居于領(lǐng)先，據(jù)行業(yè)報告預(yù)測，到 2026 年，區(qū)域物聯(lián)網(wǎng)（IoT）市場將呈指數(shù)級增長，達到 4,370 億美元。然而，當前的 Wi-Fi 連接標準可能無法提供足夠...

2021-08-19

康普 Wi-Fi 6 基礎(chǔ)設(shè)施

IOTE 2021第十六屆國際物聯(lián)網(wǎng)—深圳站

IOTE 2021第十六屆國際物聯(lián)網(wǎng)展·深圳站，是一個關(guān)于物聯(lián)網(wǎng)完整產(chǎn)業(yè)鏈，覆蓋物聯(lián)網(wǎng)感知層、網(wǎng)絡(luò)層、運算與平臺層、應(yīng)用層，涉及RFID（無線射頻識別）技術(shù)、傳感網(wǎng)技術(shù)、物聯(lián)網(wǎng)通信技術(shù)、金融消費移動支付技術(shù)、中間件的精確控制技術(shù)、大數(shù)據(jù)處理、AIoT、云計算、邊緣計算、實時定位技術(shù)等物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)...

2021-08-17

國際物聯(lián)網(wǎng) 智能家居智能電網(wǎng) AIoT

大功率晶閘管參數(shù)解析之正向特性

功率二極管晶閘管廣泛應(yīng)用于AC/DC變換器、UPS、交流靜態(tài)開關(guān)、SVC和電解氫等場合，但大多數(shù)工程師對這類雙極性器件的了解不及對IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動態(tài)特性，控制特性，保護以及損耗與熱特性。

2021-08-16

大功率晶閘管正向特性

功率因素校正電路PFC電感旁路二極管的作用

本文總結(jié)了功率因素校正電路PFC電感加旁路二極管作用的幾種不同解釋：減少主二極管的浪涌電流；提高系統(tǒng)抗雷擊的能力；減少開機瞬間系統(tǒng)的峰值電流，防止電感飽和損壞功率MOSFET。

2021-08-13

電路PFC電感旁路二極管

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