【導讀】安森美（onsemi）推出的碳化硅共源共柵場效應晶體管（SiC JFET cascode）在硬開關與軟開關應用場景中展現(xiàn)出顯著技術優(yōu)勢。其官方發(fā)布的《SiC JFET共源共柵應用指南》系列文檔，通過三篇技術解析深入剖析器件特性，本文作為開篇之作，將聚焦闡釋cascode結構的核心機理。該指南不僅系統(tǒng)闡述共源共柵器件的拓撲架構，更對關鍵電參數(shù)、獨特性能優(yōu)勢及設計支持體系進行全方位解讀，為功率半導體開發(fā)者提供從基礎理論到實踐應用的完整技術指引。
安森美（onsemi）推出的碳化硅共源共柵場效應晶體管（SiC JFET cascode）在硬開關與軟開關應用場景中展現(xiàn)出顯著技術優(yōu)勢。其官方發(fā)布的《SiC JFET共源共柵應用指南》系列文檔，通過三篇技術解析深入剖析器件特性，本文作為開篇之作，將聚焦闡釋cascode結構的核心機理。該指南不僅系統(tǒng)闡述共源共柵器件的拓撲架構，更對關鍵電參數(shù)、獨特性能優(yōu)勢及設計支持體系進行全方位解讀，為功率半導體開發(fā)者提供從基礎理論到實踐應用的完整技術指引。
Cascode簡介
碳化硅結型場效應晶體管（SiC JFET）相比其他競爭技術具有一些顯著的優(yōu)勢，特別是在給定芯片面積下的低導通電阻（稱為RDS.A）。為了實現(xiàn)最低的RDS.A，需要權衡的一點是其常開特性，這意味著如果沒有柵源電壓，或者JFET的柵極處于懸空狀態(tài)，那么JFET將完全導通。
然而，開關模式在應用中通常需要常關狀態(tài)。因此，將SiC JFET與低電壓硅MOSFET以cascode 配置結合在一起，構造出一個常關開關模式“FET”，這種結構保留了大部分SiC JFET的優(yōu)點。
Cascode結構
共源共柵（Cascode）結構是通過將一個SiC JFET與一個低壓、常關的硅（Si）MOSFET串聯(lián)而成，其中JFET的柵極連接到MOSFET的源極。MOSFET的漏源電壓是JFET柵源電壓的反相，從而使cascode 結構具有常見的常關特性。該結構可在額定漏源電壓范圍內阻斷電流，但如同任何MOSFET（無論是硅基還是碳化硅基器件）一樣，其反向電流始終可以流通。
圖 1 Cascode配置
當內部MOSFET導通或有反向電流流過時，不論cascode的柵極電壓如何，JFET的柵極-源極電壓幾乎為零，JFET處于導通狀態(tài)。當MOSFET關斷且cascode兩端存在正的VDS（漏源電壓）時，MOSFET的VDS會增加，與此同時JFET的柵源電壓會降低至低于JFET的閾值電壓，從而關斷 JFET。請參見圖1。
圖 2 分立cascode結構
分立cascode 結構采用并排芯片，如圖 2（a）所示，或堆疊芯片，如圖 2（b）所示。在這兩種情況下，SiC JFET 通常都是銀燒結在封裝引線框架上。
在并排配置中，MOSFET 安裝在一個金屬鍍層的陶瓷隔離器上，有兩組源極連接線：一組連接 JFET 源極和 MOSFET 漏極（金屬鍍層陶瓷的頂面），另一組連接 MOSFET 源極和源極引腳。在堆疊芯片配置中，JFET 源極和 MOSFET 漏極之間的連接線被取消，從而減少了雜散電感。并采用直徑較小的連接線連接 JFET 和 MOSFET 柵極。
該MOSFET專為cascode結構設計，其有源區(qū)雪崩電壓設定約為25V。MOSFET基于30V 硅工藝制造，具有低導通電阻RDS(on)，通常僅為JFET的10%，并且具有低反向恢復電荷QRR等特性。JFET用于阻斷高電壓。大部分的開關和導通損耗都集中在JFET上。
圖 3 Cascode正向和反向電流操作
Cascode的導通電阻RDS(on)包括 SiC JFET 和低壓Si MOSFET 的導通電阻。cascode柵極關斷時，反向電流流經(jīng) MOSFET 體二極管，從而自動導通 JFET，如圖 3（b）所示的非同步反向電流情況。
在這種情況下，源極-漏極電壓為 MOSFET 體二極管壓降加上 JFET 導通電阻的壓降。由于cascode內的 MOSFET 由硅制成，因此柵極關斷時的源極-漏極電壓不到同類 SiC MOSFET 的一半。當柵極導通時，cascode結構在正向和反向電流下具有相同的導通損耗。
Cascode的柵極電壓范圍非常靈活，原因有二。首先，柵極是 MOSFET 柵極，在室溫下閾值電壓接近 5 V，無需負柵極電壓。柵極電壓范圍為±20 V，且不存在閾值電壓漂移或遲滯風險，同時內置了柵極保護齊納二極管。其次，cascode具有高增益。圖 4 顯示了采用 TOLL (MO-229) 封裝的 750 V、5.4 mΩ第 4 代堆疊芯片結構的cascode—— UJ4SC075005L8S 在 25 °C的輸出特性曲線。
圖 4 Cascode的高增益可實現(xiàn) 10 V 柵極驅動
請注意，當cascode柵源電壓超過約 8 V 時，其電導率的變化非常小。一旦MOSFET導通，JFET即完全導通。這意味著cascode可以用 0 至 10 V 的自舉電壓來驅動，從而最大限度地降低柵極驅動器的功率和成本。 另一方面，更寬的柵極電壓范圍（如 -5 至 +18 V）也不會對器件造成損害。
圖 5 Cascode電容
圖 5(a) 顯示了 MOSFET 和 JFET 的芯片電容變化曲線。請注意，圖 5(b) 中的 JFET 柵極電阻 RJG 并不是一個單獨的電阻，而是 JFET 芯片的一部分。cascode與其他功率晶體管的一個主要區(qū)別是沒有柵漏電容。當漏源電壓VDS超過JFET閾值電壓后，Crss實際上會降至零。這是因為 JFET 沒有漏極-源極電容（既沒有 PN 結，也沒有體二極管來產生這種電容）。
這意味著在開關電壓轉換過程中，cascode的 dVDS/dt 主要由外部電路而不是cascode柵極電阻決定。Cascode的 MOSFET 開關速度可通過其柵極電阻調節(jié)，而 JFET 的開關速度部分由 MOSFET 決定，部分則由外部電路決定。這解釋了為何在硬開關情況下，cascode結構需借助漏源緩沖電路（snubber）來控制關斷速度并抑制電壓過沖，下文將對此進行說明。所有 JFET 輸出電容（包括柵漏電容與漏源電容）都是柵漏電容。cascode輸出電容 Coss約等于 JFET 柵極-漏極電容。cascode輸入電容 Ciss主要來自cascode的 MOSFET 柵極-源極電容。
未完待續(xù)，后續(xù)推文將介紹Cascode開關特性。
（碳化硅|共源共柵|安森美，本文作者：Jonathan Dodge, P.E.）
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