【導讀】在開關(guān)模式電源中使用GaN開關(guān)是一種相對較新的技術(shù)。這種技術(shù)有望提供更高效率、更高功率密度的電源。本文討論了該技術(shù)的準備情況，提到了所面臨的挑戰(zhàn)，并展望了GaN作為硅的替代方案在開關(guān)模式電源中的未來前景。如今，電源管理設計工程師常常會問道：現(xiàn)在應該從硅基功率開關(guān)轉(zhuǎn)向GaN開關(guān)了嗎？
在開關(guān)模式電源中使用GaN開關(guān)是一種相對較新的技術(shù)。這種技術(shù)有望提供更高效率、更高功率密度的電源。本文討論了該技術(shù)的準備情況，提到了所面臨的挑戰(zhàn)，并展望了GaN作為硅的替代方案在開關(guān)模式電源中的未來前景。如今，電源管理設計工程師常常會問道：現(xiàn)在應該從硅基功率開關(guān)轉(zhuǎn)向GaN開關(guān)了嗎？
氮化鎵(GaN)技術(shù)相比傳統(tǒng)硅基MOSFET有許多優(yōu)勢。GaN是寬帶隙半導體，可以讓功率開關(guān)在高溫下工作并實現(xiàn)高功率密度。這種材料的擊穿電壓較高，可適用于100 V以上的應用。而對于100 V以下的各種電源設計，GaN的高功率密度和快速開關(guān)特性也能帶來諸多優(yōu)勢，比如進一步提高功率轉(zhuǎn)換效率等。
挑戰(zhàn)
用GaN器件替代硅基MOSFET時，肯定會遇到一些挑戰(zhàn)。首先，GaN開關(guān)的柵極電壓額定值通常較低，所以必須嚴格限制驅(qū)動器級的最大電壓，以免損壞GaN器件。
其次，必須關(guān)注電源開關(guān)節(jié)點處的快速電壓變化(dv/dt)，這有可能導致底部開關(guān)誤導通。為了解決此問題，需布置單獨的上拉和下拉引腳，并精心設計印刷電路板布局。
最后，GaN FET在死區(qū)時間的導通損耗較高，所以需要盡可能縮短死區(qū)時間，與此同時，還必須注意高端和低端開關(guān)的導通時間不能重疊，以避免接地短路。
如何入門
GaN在電源設計領(lǐng)域有著廣闊的發(fā)展前景，但如何開始相關(guān)設計，是許多企業(yè)的煩惱。比較簡單的方法是選用相關(guān)的開關(guān)模式電源控制器IC，例如ADI公司的單相降壓GaN控制器 LTC7891。選擇專用GaN控制器可以簡化GaN電源設計，增強其穩(wěn)健性。前面提到的所有挑戰(zhàn)都可以通過GaN控制器來解決。如圖1所示，采用GaN FET和LTC7891等專用GaN控制器，將大大簡化降壓電源設計。
圖1. 專用GaN控制器有助于實現(xiàn)穩(wěn)健且密集的電源電路
使用任意控制器IC
使用任意控制器IC 若希望通過改造現(xiàn)有的電源及其控制器IC來控制基于GaN的電源，那么GaN驅(qū)動器將會很有幫助，可負責解決GaN帶來的挑戰(zhàn)，實現(xiàn)簡單而穩(wěn)健的設計。圖2為采用 LT8418驅(qū)動器IC實現(xiàn)的降壓穩(wěn)壓器功率級。
圖2. 專用GaN驅(qū)動器根據(jù)來自傳統(tǒng)硅基MOSFET控制器的邏輯PWM信號控制功率級
邁出第一步
選定合適的硬件、控制器IC和GaN開關(guān)之后，可通過詳細的電路仿真來快速獲得初步評估結(jié)果。ADI公司的 LTspice? 提供完整的電路模型，可免費用于仿真。這是學習使用GaN開關(guān)的一種便捷方法。圖3為LTC7890（LTC7891的雙通道版本）的仿真原理圖。
圖3. LTspice，一款實用的GaN電源仿真工具
結(jié)論
GaN技術(shù)在開關(guān)模式電源領(lǐng)域已經(jīng)取得了許多成果，可用于許多電源應用。未來，GaN開關(guān)技術(shù)仍將持續(xù)迭代更新，進一步探索應用前景。ADI現(xiàn)有的GaN開關(guān)模式電源控制器和驅(qū)動器靈活且可靠，能夠兼容當前及今后由不同供應商研發(fā)的GaN FET。
文章來源：亞德諾半導體
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