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B82466G0/B82467G0/B82469G1*：EPCOS新電感器系列

愛普科斯(EPCOS)開發(fā)出緊湊的小型電感器，其高度僅為1.0毫米，占用面積僅2.0×2.0平方毫米。B82466G0*系列的電感范圍介于0.5至22μH，飽和電流最高為1.6A。B82467G0*和B82469G1*系列尺寸分別為2.6×2.8×1.0立方毫米和3.8×3.6×1.2立方毫米，其飽和電流最高為3.0A。

2008-06-01

B82466G0* B82467G0* B82469G1* 電感器

宇陽控股0201超微型MLCC通過鑒定

宇陽控股近日宣布，其自主研發(fā)的0201超微型MLCC（片式多層陶瓷電容器）已成功通過國家科學(xué)技術(shù)部授權(quán)組織科學(xué)技術(shù)成果鑒定，標(biāo)志著公司成為全國首家成功開發(fā)0201 MLCC的企業(yè)。

2008-05-30

宇陽 0201 MLCC

SiA***DJ：Vishay新型小型封裝Siliconix功率MOSFET

Vishay宣布推出15款采用 2 mm×2 mm 的 PowerPAK SC-70 封裝、厚度為 0.8 mm 的新型功率 MOSFET。

2008-05-28

SiA408DJ SiA411DJ SiA413DJ SiA414DJ SiA415DJ SiA417DJ SiA419DJ SiA421DJ SiA443DJ SiA511DJ Si功率MOSFET

MAX3622：Maxim網(wǎng)絡(luò)設(shè)備用超低抖動兩路輸出時鐘發(fā)生器

Maxim推出超低抖動、兩路輸出時鐘發(fā)生器MAX3622。器件采用低噪聲VCO和專有的PLL架構(gòu)，從一個25MHz晶體諧振器產(chǎn)生2路0.14psRMS (典型值)的超低抖動時鐘輸出。

2008-05-27

MAX3622 時鐘發(fā)生器

VBUS052BD-HT：Vishay新型雙二極管總線端口保護陣列

日前，Vishay宣布推出新小型雙二極管 ESD 保護陣列，旨在保護兩個高速 USB 端口或最多兩條其他高頻信號線不受瞬態(tài)電壓信號干擾。

2008-05-23

VBUS052BD-HTF 雙二極管 ESD 保護陣列

STC03DE220HV：意法半導(dǎo)體用于三相電源的低功耗ESBT開關(guān)

意法半導(dǎo)體宣布推出STC03DE220HV ESBT（發(fā)射極開關(guān)雙極晶體管）功率開關(guān)，新產(chǎn)品使設(shè)計工程師能夠提高單相和三相應(yīng)用輔助開關(guān)電源的能效，降低產(chǎn)品的成本、組件數(shù)量和尺寸。

2008-05-21

STC03DE220HV ESBT 發(fā)射極開關(guān)雙極晶體管

STC03DE220HV：意法半導(dǎo)體用于三相電源的低功耗ESBT開關(guān)

2008-05-21

STC03DE220HV ESBT 發(fā)射極開關(guān)雙極晶體管

MAX4996/MAX4996L：Maxim SDHC和SDIO復(fù)用三路DPDT開關(guān)

Maxim推出三路雙刀雙擲(DPDT)開關(guān)MAX4996/MAX4996L，可切換多路高達670MHz的高頻信號。器件具有極低的導(dǎo)通電阻(典型值為2.0Ω)、導(dǎo)通電容(典型值為6pF)和功耗(典型值為3μA)，從而能夠?qū)崿F(xiàn)高頻切換。

2008-05-19

MAX4996 MAX4996L 三路雙刀雙擲(DPDT)開關(guān)

TJ3-HT：Vishay新型環(huán)形高溫電感器

Vishay宣布推出新型環(huán)形高電流、高溫電感器。該器件具有業(yè)內(nèi)最高額定及飽和電流以及業(yè)內(nèi)最低電感和DCR。

2008-05-16

TJ3-HT 高溫電感器

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