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能源電力

電子信息產(chǎn)業(yè)：加快調(diào)整搶占高端

電子信息產(chǎn)業(yè)是受國(guó)際金融危機(jī)影響較大的行業(yè)，通過(guò)貫徹落實(shí)產(chǎn)業(yè)調(diào)整振興規(guī)劃，正逐步復(fù)蘇，走向新的發(fā)展征程。溫家寶總理在政府工作報(bào)告中指出，大力發(fā)展信息網(wǎng)絡(luò)和高端制造業(yè)，加快物聯(lián)網(wǎng)的研發(fā)應(yīng)用，這些都為電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展指明了方向。

2010-03-17

電子信息業(yè) 結(jié)構(gòu) 軟件服務(wù)業(yè) 新興產(chǎn)業(yè)

光伏產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)赚F(xiàn)分化組件價(jià)跌硅片價(jià)漲

隨著去年四季度以來(lái)全球光伏應(yīng)用市場(chǎng)逐漸復(fù)蘇，國(guó)內(nèi)光伏產(chǎn)業(yè)也開(kāi)始欣欣向榮。但由于過(guò)去幾年產(chǎn)能擴(kuò)張嚴(yán)重，光伏下游組件價(jià)格連續(xù)下挫。相比之下，由于產(chǎn)能不足，中游的硅片價(jià)格近期卻意外上漲。

2010-03-17

光伏組件硅片

優(yōu)化高電壓IGBT

隨著綠色電力運(yùn)動(dòng)勢(shì)頭不減，包括家電、照明和電動(dòng)工具等應(yīng)用，以至其他工業(yè)用設(shè)備都在盡可能地利用太陽(yáng)能的優(yōu)點(diǎn)。為了有效地滿足這些產(chǎn)品的需求，電源設(shè)計(jì)師正通過(guò)最少數(shù)量的器件、高度可靠性和耐用性，以高效率把太陽(yáng)能源轉(zhuǎn)換成所需的交流或者直流電壓。本文介紹優(yōu)化高電壓IGBT造就高效率太陽(yáng)能逆...

2010-03-17

IGBT MOSFET 驅(qū)動(dòng)器

RS推出1200種三洋半導(dǎo)體產(chǎn)品

RS Components宣布，通過(guò)其在線目錄RS Online渠道推出三洋（SANYO）半導(dǎo)體公司的1200類半導(dǎo)體產(chǎn)品。

2010-03-16

RS 三洋半導(dǎo)體 MOSFET IGBT 晶體管

中國(guó)創(chuàng)新進(jìn)一步開(kāi)拓新光源迎接全LED時(shí)代

全界各地在LED技術(shù)的應(yīng)用漸趨多元化，反映產(chǎn)品的普及與認(rèn)可程度日增，業(yè)內(nèi)人士預(yù)料，LED產(chǎn)業(yè)有望急速發(fā)展。按照目前的增長(zhǎng)速度估計(jì)，料年內(nèi)全國(guó)LED產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將超過(guò)1500億元人民幣，「全LED時(shí)代」有望在2015年到來(lái)。

2010-03-16

LED 新光源路燈照明

日本應(yīng)用物理學(xué)會(huì)：東工大硅量子點(diǎn)太陽(yáng)能電池取得新進(jìn)展

東京工業(yè)大學(xué)教授小長(zhǎng)井誠(chéng)研究小組，大幅提高了利用硅量子點(diǎn)的太陽(yáng)能電池的開(kāi)放電壓（Voc）及I-V特性形狀因子（FF）數(shù)值。2010年3月10日，該消息是在應(yīng)用物理學(xué)會(huì)舉行的2010年春季應(yīng)用物理學(xué)會(huì)學(xué)術(shù)演講會(huì)的會(huì)前新聞發(fā)布會(huì)上宣布的。

2010-03-16

日本應(yīng)用物理硅量子點(diǎn) 太陽(yáng)能電池

ABB為中國(guó)太陽(yáng)能發(fā)電提供技術(shù)支持

近日，全球領(lǐng)先的電力和自動(dòng)化技術(shù)集團(tuán)ABB積極參與中國(guó)太陽(yáng)能開(kāi)發(fā)利用，為提升國(guó)家可再生能源占電力消費(fèi)比例、改善能源結(jié)構(gòu)做出積極貢獻(xiàn)。

2010-03-15

ABB 太陽(yáng)能發(fā)電新能源可再生能源

怎樣辨別視頻線的好壞

本文主要介紹視頻線的目測(cè)外觀鑒別，傳輸性能測(cè)試

2010-03-15

視頻線電纜 SYV電纜

更小巧、更輕便、更低溫——IR GaN功率器件帶動(dòng)功率技術(shù)革命

GaN技術(shù)平臺(tái)開(kāi)創(chuàng)行業(yè)先河，是IR研發(fā)部門基于IR專利的GaN-on-Si硅上氮化鎵異質(zhì)外延技術(shù)，經(jīng)過(guò)5年精心研究的成果。高生產(chǎn)量的150mm硅上氮化鎵外延以及相關(guān)的器件制造工藝，完全符合IR具備成本效益的硅制造設(shè)施，可為客戶提供世界級(jí)的商業(yè)可行的氮化鎵功率器件制造平臺(tái)。

2010-03-15

輕便低溫 IR GaN 功率器件革命

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