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能源電力

半導(dǎo)體設(shè)備制造商的好日子己經(jīng)到來

按Hill看法, 今年半導(dǎo)體業(yè)有13-15%的增長, 而半導(dǎo)體設(shè)備市場今年可能有80%的超常增長。同時，VLSI市場研究公司認(rèn)為2010年全球半導(dǎo)體市場達(dá)2315億美元, 相比于09年增長21.9%,而09年IC市場下降8,4%。2010年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場可達(dá)332億美元, 相比于09年增長42.5%, 而09年IC設(shè)備市場下降43.1%。

2010-04-28

半導(dǎo)體設(shè)備半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 芯片

Cree宣布推出突破性創(chuàng)新照明類LED器件

Cree 公司宣布推出突破性創(chuàng)新照明類 LED 器件——XLamp XM LED。這款新型單芯片 LED 不僅在 350 mA的驅(qū)動電流下提供了創(chuàng)紀(jì)錄的160 lm/w高光效，而且還能在 2 A 電流下提供 750 lm 的光通量，這意味著不足 7 W 的此類 LED 能夠產(chǎn)生相當(dāng)于 60 W 的白熾燈產(chǎn)生的光輸出。

2010-04-27

Cree 照明 LED XM LED Screen Master 4mm LED

飛兆半導(dǎo)體和英飛凌科技達(dá)成功率MOSFET兼容協(xié)議

全球領(lǐng)先的高性能功率和移動產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司就采用MLP 3x3 (Power33?)和Power Stage 3x3封裝的功率MOSFET達(dá)成封裝合作伙伴協(xié)議。

2010-04-27

飛兆半導(dǎo)體英飛凌 MOSFET

三星5.5代OLED線2011年投產(chǎn)

近日三星表示，目前已經(jīng)在投建5.5代線 OLED面板廠，預(yù)計在明（2011）年1月份正式投產(chǎn)。該消息也印證了今年初三星計劃投入5.5代線OLED面板生產(chǎn)的傳聞。

2010-04-27

三星 OLED線投產(chǎn) 面板

太陽能模塊每瓦1美元生產(chǎn)成本時代即將來臨

太陽能模塊每瓦1美元生產(chǎn)成本時代即將來臨，最大功臣是臺灣及大陸廠商，尤其是臺廠賣命演出，使得價格快速下滑，未來要持續(xù)降低成本，料源成本將是重要關(guān)鍵。

2010-04-27

太陽能模塊生產(chǎn)成本即將來臨

中國技術(shù)型耐用消費品市場2009年回顧與2010年展望

2008年4季度以來，一些曾經(jīng)不大熟悉的詞匯涌入人們的腦海中，如，“金融海嘯”、“經(jīng)濟(jì)危機(jī)”、“市場萎縮”、“消費不足”等等。經(jīng)濟(jì)危機(jī)，從美國這個世界經(jīng)濟(jì)第一大國開始，迅速蔓延到世界上各個國家，并且蔓延到各個市場。中國也不例外，遭遇到前所未有的沖擊

2010-04-27

技術(shù)型消費品市場回顧展望

遠(yuǎn)方亮相CEF，重點展示EMC&電子儀器產(chǎn)品

杭州遠(yuǎn)方光電信息有限公司創(chuàng)建于1993年7月，下設(shè)光電儀器事業(yè)部和EMC&電子儀器事業(yè)部。作為國內(nèi)首家CIE正式官方會員企業(yè)單位，遠(yuǎn)方的光電測量產(chǎn)品已被全球萬余家企業(yè)及百余家政府質(zhì)檢機(jī)構(gòu)所采用。在日前結(jié)束的第75屆中國電子展（CEF）上，遠(yuǎn)方出席了展覽并向與會觀眾展示了最新技術(shù)和產(chǎn)品。

2010-04-26

遠(yuǎn)方 EMC測試數(shù)字功率計

超級電容下一步挑戰(zhàn)：提高工作電壓

超級電容的應(yīng)用版圖不斷地持續(xù)擴(kuò)展，因為超級電容能提供比電池更高的瞬間功率。其重要的應(yīng)用包括在手機(jī)上供給閃光燈所需的瞬間功率，并接受電池再充電，能延長通話時間與電池壽命，還能為工程師節(jié)省設(shè)備空間和成本。

2010-04-26

超級電容電池充電

IHLP-1212BZ-11：Vishay推出其最小的IHLP器件

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用1212外形尺寸的新款I(lǐng)HLP?小尺寸、高電流電感器 --- IHLP-1212BZ-11。IHLP-1212BZ-11是迄今為止Vishay最小的IHLP器件，具有3.0mm x 3.6mm的占位、2.0mm的超小尺寸以及0.22μH至1.5μH的標(biāo)準(zhǔn)感值，其最高頻率可達(dá)1.0MHz。

2010-04-26

IHLP-1212BZ-11 IHLP器 Vishay

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